Сортировать
Показать фильтр
| ID | Название | Количество | Единица измерения | Производитель | Упаковка | Срок поставки | Описание | Цена от, руб. | В корзину | ||
| 4254106 | ADM3232EARNZ. [SOP-16]; RS232 ICs ROHS;=ADM3232EARNZ(ADI) |
![ADM3232EARNZ. [SOP-16]; RS232 ICs ROHS;=ADM3232EARNZ(ADI)](/img/tags/none.jpg)
|
2500.00 | шт | UMW | 20 | 4-6 дней | 1шт: 71.50 | |||
| 4260018 | ADM3485EARZ. [SOIC-8]; Transceiver 1/1 RS485 10Mbps SOIC-8_150mil RS-485/RS-422 ICs ROHS;=ADM3485EAR |
|
5000.00 | шт | UMW | 20 | 4-6 дней | 1шт: 35.20 | |||
| 4273049 | AS4C16M16SA-6TIN. микросхема памяти SDRAM 256мБT 166МГц TSOP54 |
|
20.00 | шт | ALLIANCE Mem. | 5 | 4-6 дней | 1шт: 1430.00 | |||
| 4297431 | AS7C34098A-10TIN. память SRAM. 4Mb. 256Kx16. 3.3В 44-TSOPII (10.2x18.4) |
|
50.00 | шт | ALLIANCE Mem. | 2 | 4-6 дней | 1шт: 1210.00 | |||
| 4280918 | AT24C08C-SSHM-T |
|
Microchip | 3-5 дней | 1шт: 57.15 | ||||||
| 4297432 | AT24C256C-SSHL-T. микросхема памяти SOIC8 |
|
1000.00 | шт | Atmel | 20 | 4-6 дней | 1шт: 52.80 | |||
| 4229947 | AT24C512C-SSHD-T. Последовательная энергонезависимая память Microchip. 512Кб (64K X 8). 1МГц. корпус SOIC-8 |
|
Microchip | 3-5 дней | 1шт: 43.99 | ||||||
| 4280362 | AT24C64D-SSHM-T |
|
1000.00 | шт | Microchip | 100 | 4-6 дней | 1шт: 24.20 | |||
| 4233160 | AT24C64D-SSHM-T. микросхема памяти Microchip |
|
Microchip | 3-5 дней | 1шт: 37.53 | ||||||
| 4282801 | AT25DF081A-SSH-T. Флэш-память Adesto Technologies. шина SPI. 100МГц. электропитание 2.7- 3.6В. 8Мбит (256 Bytes x 4096 pages). корпус SOIC-8 |
|
Adesto Technologies | 3-5 дней | 1шт: 78.73 | ||||||
| 4277893 | AT25DF321A-SH-T. Флэш-память Adesto Technologies. шина SPI электропитание. 3.3В. 32Мбит 4M x 8. 5нс. корпус SOIC-8 |
|
Adesto Technologies | 3-5 дней | 1шт: 108.26 | ||||||
| 4280963 | AT25DF321A-SH-T. Флэш-память Adesto Technologies. шина SPI. электропитание 3.3В. 32Мбит (4M x 8). 5нс. корпус SOIC-8 |
|
Adesto Technologies | 3-5 дней | 1шт: 98.42 | ||||||
| 4282802 | AT25SF041B-SSHB-B. Флэш-память NOR Renesas(Dialog). шина SPI. 4Мбит(512K x 8). 108 МГц. корпус SOIC-8 |
|
Dialog Semiconductor | 3-5 дней | 1шт: 57.02 | ||||||
| 4284472 | AT25SF161B-SSHB-T. Flash память NOR 16Мбит шина SPI 2xSPI 4xSPISO8 |
|
500.00 | шт | Adesto | 20 | 4-6 дней | 1шт: 82.50 | |||
| 4277340 | AT25SF161B-SSHD-T. Флэш-память Renesas(Dialog). шина SPI. 16Мбит. 108 МГц. корпус SOIC-8 |
|
Renesas | 3-5 дней | 1шт: 82.08 | ||||||
| 4300051 | AT29C512-70PI. флэш-память 512К 5В. DIP32-600 |
|
180.00 | шт | Atmel | 10 | 4-6 дней | 1шт: 484.00 | |||
| 4192523 | AT45DB041E-SHN-T. Флэш-память Adesto Technologies. SPI. 4 Мбит (264 Bytes x 2048 pages). 85МГц. корпус SOIC-8 (Wide) |
|
Adesto Technologies | 3-5 дней | 1шт: 131.93 | ||||||
| 4192524 | AT45DB041E-SSHN-T. Флэш-память Adesto Technologies. SPI. 4 Мбит (264 Bytes x 2048 pages). 85МГц. корпус SOIC-8(Narrow) |
|
Adesto Technologies | 3-5 дней | 1шт: 108.29 | ||||||
| 4192525 | AT45DB161E-SHD-T. Флэш-память Dialog Semiconductor. 16M (4096 pages x 528 bytes). 85МГц. корпус SOIC-8(Wide) |
|
Dialog Semiconductor | 3-5 дней | 1шт: 95.43 | ||||||
| 4284922 | AT45DB161E-SSHF-B |
|
Adesto Technologies | 3-5 дней | 1шт: 379.79 | ||||||
| 4296222 | AT45DB161E-SSHF-B. Флэш-память Adesto Technologies. 16Mбит. 85МГц.SPI. корпус SOIC-8 |
|
Adesto Technologies | 3-5 дней | 1шт: 379.79 | ||||||
| 4277621 | AT45DB641E-SHN2B-T |
|
Adesto Technologies | 3-5 дней | 1шт: 587.75 | ||||||
| 4280366 | AT45DB641E-SHN2B-T. Флэш-память Adesto Technologies. 64Mбит. корпус SOIC-8 |
|
Adesto Technologies | 3-5 дней | 1шт: 484.71 | ||||||
| 4284473 | AT93C46DN-SH-T. EEPROM. 1.8В SPI. 1КБ 1 2МГц SO8 |
|
2000.00 | шт | Microchip | 40 | 4-6 дней | 1шт: 26.40 | |||
| 4255130 | AT93C66B-SSHM-T. микросхема памяти Microchip. SOIC-8 Narrow (SMD). 3-Wire. Microwire. 250ns |
|
Microchip | 3-5 дней | 1шт: 25.01 | ||||||
| 4265990 | BQ7791500PWR |
|
5000.00 | шт | TI | 1 | 4-6 дней | 1шт: 121.00 | |||
| 4258359 | BSS138NH6327XTSA2. Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
|
440.00 | шт | INFINEON | 2 | 4-6 дней | 1шт: 37.40 | |||
| 4284433 | CAT24C256WI-GT3. микросхема памяти EEPROM I2C 256К-бит 400КГц SO8 |
|
600.00 | шт | ONS | 30 | 4-6 дней | 1шт: 64.90 | |||
| 4277483 | CY62128ELL-45SXIT. Асинхронная статическая память Cypress Semiconductor. SRAM - Asynchronous Memory. 1 Мбит (128Кбx8). параллельный интерфейс. 45 нс. корпус SOIC-32 |
|
Cypress Semiconductor | 3-5 дней | CY62128ELL-45SXIT - микросхема памяти SRAM, 1 Мбит, 128 Кбx8 бит, от 4.5 В до 5.5 В, корпус SOIC-32, 32 вывода, 45 нс. | 1шт: 465.26 | |||||
| 4294905 | CY62148BLL-70ZI. микросхема памяти SRAM 4M (512K x 8) 32-TSOP II |
|
2.00 | шт | CYPRESS | 2 | 4-6 дней | 1шт: 1067.00 | |||
| 4135747 | CY62256NLL-55SNXIT. Асинхронная статическая память Cypress Semiconductor. SRAM - Asynchronous Memory. 256 Кб(32K x 8). параллельный интерфейс. 55 нс. корпус SOIC-28 |
|
Cypress Semiconductor | 3-5 дней | CY62256NLL-55SNXIT - микросхема памяти SRAM, корпус SOIC-28, тип памяти RAM, подтип памяти SRAM - Asynchronous, интерфейс Parallel, объём памяти 256 Кбит, напряжение питания, мин. - 4.5 В, напряжение питания, макс. - 5.5 В. | 1шт: 281.18 | |||||
| 4278453 | DS2431P+T&R. Энергонезависимое ППЗУ 1024-бит. однопроводное. корпус TSOC-6 |
|
Maxim Integrated | 3-5 дней | 1шт: 96.75 | ||||||
| 4280658 | DS2505+. TO92-3 |
|
50.00 | шт | Maxim | 5 | 4-6 дней | 1шт: 1210.00 | |||
| 4279953 | DS28EC20+T. Микросхема. EEPROM. 4 V. 5.25 V |
|
200.00 | шт | Maxim | 50 | 4-6 дней | 1шт: 440.00 | |||
| 4285392 | DS9034PC+ |
|
14.00 | шт | Maxim | 5 | 4-6 дней | 1шт: 2200.00 | |||
| 4133526 | EPCQ4ASI8N. микросхема памяти ALTERA. SRAM. 4 Мбит. 100 МГц. -40…+85 °С. 3.3 В. 100 мкА. корпус SOIC-8 |
|
ALTERA | 3-5 дней | EPCQ4ASI8N - микросхема памяти SRAM 4 Мбит, частота 100 МГц, рабочая темпепратура -40…+85 °С, напряжение 3.3 В, потребляемый ток 100 мкА, корпус SOIC-8. | 1шт: 326.70 | |||||
| 4244962 | EPCQ64ASI16N. микросхема памяти ALTERA. SRAM. 64 Мбит. 100 МГц. -40…+85 °С. 3.3 В. 100 мкА. корпус SOIC-16 |
|
ALTERA | 3-5 дней | EPCQ64ASI16N - микросхема памяти SRAM 64 Мбит, частота 100 МГц, рабочая темпепратура -40…+85 °С, напряжение 3.3 В, потребляемый ток 100 мкА, корпус SOIC-16. | 1шт: 1678.63 | |||||
| 4232252 | EPCS16SI8N. последовательная конфигурационная флэш-память ALTERA. 16 Мбит. корпус SOIC-8 |
|
ALTERA | 3-5 дней | EPCS16SI8N - последовательная конфигурационная флэш-память 16 Мбит, напряжение 3.3 В, рабочая температура -40…+85 °С, корпус SOIC-8. | 1шт: 777.97 | |||||
| 4134347 | EPCS4SI8N. последовательная конфигурационная флэш-память ALTERA. 4 Мбит. корпус SOIC-8 |
|
ALTERA | 3-5 дней | EPCS4SI8N - последовательная конфигурационная флэш-память 4 Мбит, напряжение 3.3 В, рабочая температура -40…+85 °С, корпус SOIC-8. | 1шт: 257.90 | |||||
| 4232468 | FM22L16-55-TG. Сегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. 4 Мбит(256K x 16). параллельный интерфейс. 55нс. корпус TSOP-44 |
|
Cypress Semiconductor | 3-5 дней | FM22L16-55-TG - энергонезависимая сегнетоэлектрическая оперативная память, корпус TSOP244, тип памяти RAM, подтип памяти FRAM (Ferroelectric RAM), интерфейс Parallel, объём памяти 4 Мбит, напряжение питания, мин. - 2.7 В, напряжение питания, макс. - 3.6 В. | 1шт: 3070.55 | |||||
| 4254062 | FM24C04B-GTR |
|
1000.00 | шт | CYPRESS | 67 | 4-6 дней | 1шт: 121.00 | |||
| 4233162 | FM24C04B-GTR. микросхема памяти Cypress Semiconductor |
|
Cypress Semiconductor | 3-5 дней | 1шт: 181.96 | ||||||
| 4275251 | FM24C04B-GTR. микросхема памяти FRAM 4кБ I2C 5В SOIC-8 |
|
2707.00 | шт | CYPRESS | 15 | 4-6 дней | 1шт: 286.00 | |||
| 4284471 | FM24CL04B-GTR. FRAM память 512х8 I2C SO8 |
|
300.00 | шт | CYPRESS | 10 | 4-6 дней | 1шт: 97.90 | |||
| 4133528 | FM24CL16B-GTR. cегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. 16 Kбит. 1 МГц. SRL. корпус SOIC-8 |
|
Cypress Semiconductor | 3-5 дней | FM24CL16B-GTR - энергонезависимая сегнетоэлектрическая оперативная память серии FM24CL16B. | 1шт: 80.15 | |||||
| 4256133 | FM24CL64B-GTR. ферроэлектрическая RAM (FRAM) Cypress Semiconductor. 64Кбит (8К x 8). I2C. 1МГц. 2.7В ... 3.65В. корпус SOIC-8 |
|
Cypress Semiconductor | 3-5 дней | 1шт: 96.61 | ||||||
| 4135749 | FM24V10-GTR. Сегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. 1 Mбит(128 Kбит x 8). 3.4 МГц. I2C. 130нс. корпус SOIC-8 |
|
Cypress Semiconductor | 3-5 дней | FM24V10-GTR - сегнетоэлектрическое ОЗУ 1 Mбит, 3.4 МГц, шина I2C, корпус SOIC-8. Примечание: 128 Kбитx8. | 1шт: 572.95 | |||||
| 4135750 | FM24W256-GTR. Сегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. I2C. 256Кб(32K x 8). 1 МГц. 550 нс. корпус SOIC-8 |
|
Cypress Semiconductor | 3-5 дней | 1шт: 227.28 | ||||||
| 4256447 | FM25256-SO-T-G. микросхема памяти FLASH 256K-BIT SPI Serial EEPROM |
|
2.00 | шт | FUDAN | 500 | 4-6 дней | 1шт: 275.00 | |||
| 4275248 | FM25CL64B-GTR. микросхема памяти FRAM 64кБ 20МГц SOIC8 |
|
1900.00 | шт | RAMTRON | 15 | 4-6 дней | 1шт: 286.00 | |||
Фильтры